RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
24
Velocità di lettura, GB/s
16.9
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
3482
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link