RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3482
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link