RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
71
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
71
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2165
1979
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link