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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,001.3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
58
Intorno -76% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
33
Velocità di lettura, GB/s
4,796.5
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,001.3
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
768
3341
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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