RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,001.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,796.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,001.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
768
3341
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link