RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2513
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link