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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
73
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
73
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
1724
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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