RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.4
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
3415
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link