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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
38
Velocità di lettura, GB/s
12.4
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
2470
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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