RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
32
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
12.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
32
Velocità di lettura, GB/s
17.4
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.2
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3130
3726
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link