RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3736
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link