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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Confronto
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB vs Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
16000
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
12.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR5
Latenza in PassMark, ns
37
29
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.6
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
16000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-16000, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2808
3521
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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