Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 28

Intorno 7% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 17000

Intorno 1.25% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.5 16.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.7 13.5

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2880 3601

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns