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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.8
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.6
5.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
30
49
Velocità di lettura, GB/s
8.8
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
5.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1344
1223
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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