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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
81
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.6
1,755.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
81
Velocità di lettura, GB/s
3,813.5
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,755.7
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
591
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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