RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2545
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link