RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2545
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link