RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
57
Intorno -119% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
26
Velocità di lettura, GB/s
6.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
3648
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link