RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Confronto
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
13.9
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2418
2104
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-494.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link