RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
2104
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link