RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
75
Intorno -213% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
24
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
3167
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link