RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
29
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
5.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
25
Velocità di lettura, GB/s
9.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.1
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1432
2340
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link