RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
2340
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link