RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.9
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3051
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link