RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
51
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
33
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2665
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
UMAX Technology 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link