RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2665
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link