Confronto tra le RAM Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.4 10.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.2 8.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

14900 10600

Intorno 1.41% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 39

Intorno -39% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-10-9-28 / 1866 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2509 1570

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns