Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

総合得点

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

13.4 10.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.2 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

14900 10600

周辺 1.41% 高帯域

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 39

周辺 -39% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

39 28
読み出し速度、GB/s

13.4 10.5
書き込み速度、GB/秒

9.2 8.4
メモリ帯域幅、mbps

14900 10600

Other

商品説明

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
タイミング / クロック速度

9-10-9-28 / 1866 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2509 1570

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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