RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
37
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
20
Velocità di lettura, GB/s
13.9
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3483
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link