RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
92
Intorno -207% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
30
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
3044
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link