RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3044
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link