RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
92
Intorno -241% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.9
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.1
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
27
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
21.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
19.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
4044
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link