RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
4044
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link