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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
61
Intorno -165% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
23
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
2561
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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