RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
61
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2561
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link