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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
71
Intorno -145% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
29
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3614
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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