RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
71
101
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
101
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
1313
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link