RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
比較する
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
総合得点
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
総合得点
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
71
101
周辺 30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.2
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.0
1,322.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
71
101
読み出し速度、GB/s
2,831.6
14.2
書き込み速度、GB/秒
1,322.6
7.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
399
1313
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link