RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
37
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
37
Velocità di lettura, GB/s
13.7
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2389
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link