RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
35
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2841
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link