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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641152 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
30
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
23
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2215
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
INTENSO 5641152 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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