RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3106
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link