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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3106
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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