RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
2608
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link