RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2608
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link