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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
42
Velocità di lettura, GB/s
9.0
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2427
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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