RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
74
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
74
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
1849
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link