RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.3
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
14.9
22.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
3873
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9955429-007.A00LF 1GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link