RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
14.9
22.3
写入速度,GB/s
9.6
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3873
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link