RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
59
Intorno -111% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
28
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3501
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link