RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3501
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
INTENSO 5641152 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link